形核场理论——形核场决定的矫顽力

形核场理论——形核场决定的矫顽力

在单相的多畴的永磁材料中，一旦形成一个临界大小的反磁化畴核，就会迅速地长大，实现反磁化，形成一个临界大小的反磁化畴核所需要的的反磁化场就是材料的矫顽力。

反磁化畴核长大的能量条件如下：

2HMsuodV-γwds-dEd≥2HoMsuodV

由此式可以求得形成一个临界大小的反磁化畴核所需要的磁场

Hs=Ho+5π/8uoMs×Υw/d

Hs是形核场（或称为发动场）也就是矫顽力

当反磁化核长大时，设其畴壁面积增加dS，则畴壁能增加Sdyw,由于反磁化畴核的磁矩与周围环境的磁矩方向相反，反磁化核的表面存在自由磁荷，即存在退磁场。当反磁化畴核长大时，退磁场能增加dEd。反磁化畴核的长大是畴壁的位移过程，它要克服畴壁位移阻力而做功。畴壁位移克服最大阻力所作的功为2HoMsuodV，其中Ho为临界磁场。它是反磁化畴核发生不可逆长大（畴壁不可逆壁移）时所需要的磁场。该磁场可认为是钉扎场。

即Ho=H′pdV为反磁化畴核长大时体积的增量。反磁化畴核的长大，是在反磁化场的作用下进行的，其静磁场能的变化为2HMsuodV。